HBM 的下一場硬仗不在速度，在溫度：SK海力士 iHBM 想把冷卻做進晶片縫隙裡

《科創板日報》2026年10月22日報導，SK海力士正推動新一代 iHBM（Integrated High Bandwidth Memory）技術邁向量產，並已開始討論相關量產計畫。這項技術的核心訴求只有一個數字：透過在晶片間實體層（D2D PHY）放置稱為 ICE 的整合冷卻元件，降低最高 30% 的熱阻。

為什麼散熱突然變成 HBM 的頭號問題

HBM 的基本結構，是把多層 DRAM 像千層糕一樣垂直堆疊，再緊貼在 GPU 旁邊，用極短的路徑換取驚人的頻寬。AI 伺服器的算力需求愈高，這塊千層糕就疊得愈厚、跑得愈快，而每一層都在發熱。

問題來了：熱是從中間那幾層最難散出去的。就像一疊剛出爐的鬆餅，上下兩面碰得到空氣，中間那幾片永遠最燙。堆疊層數增加，中間層的熱被上下夾住，散不出去的熱逼著晶片降頻、耗電上升，甚至影響壽命。換句話說，算力競賽走到今天，卡住效能的已經不是記憶體的速度，而是溫度。

這與我們先前分析的DRAM 營收暴增如何一路傳導到雲端帳單是同一條壓力鏈：需求端拼命拉貨，供給端在良率與物理極限上找出口，散熱就是其中一道牆。

iHBM 的做法：把冷卻塞進原本沒人用的地方

報導揭露的技術細節值得停下來看。iHBM 不是外加一個更大的散熱片，而是把 ICE 冷卻元件放進 D2D PHY，也就是晶片與晶片之間的實體連接層。

用日常比喻，傳統散熱像是幫房子裝冷氣，冷氣再強，關在房間中間的人還是先熱昏。iHBM 的思路比較像把冰水管直接埋進牆壁夾層，在熱產生的位置就近帶走。D2D PHY 這個位置過去只負責訊號傳遞，現在多了一個帶熱的任務，30% 的熱阻降幅就是從這個空間換來的。

對 SK海力士來說，把冷卻做進封裝內部，也代表 HBM 的產品定義正在改變。記憶體廠賣的不再只是容量和頻寬規格，還包括熱管理方案，這會讓 HBM 與客戶端封裝設計的綁定更深。

對一般讀者的「所以呢」

這則新聞離日常不遠，只是傳導路徑長。HBM 幾乎全數供給 AI 加速器，散熱瓶頸鬆開多少，直接影響資料中心能塞進多少算力、AI 服務的單位成本壓到多低。當微軟都得靠更新讓 8GB 記憶體電腦跑快兩成來緩解記憶體喫緊，就知道整條記憶體鏈的壓力已經從雲端一路延伸到消費端。

值得留意的下一步訊號有兩個。其一是 SK海力士何時公布量產時間表與首批客戶，這決定 iHBM 是兩年後的技術還是下一個世代就上桌。其二是競爭對手三星與美光的對應方案，散熱路線一旦分岔，AI 晶片的封裝設計也會跟著選邊。來源目前僅確認技術方向與量產討論正在進行，時間表與採購意向仍未知，這部分先保留，等有具體數字再談。